●APM32F103xB 系列芯片是基于 Arm® Cortex®-M3 内核的 32 位微控制器，最高工作频率 96MHz。内建 AHB 高性能总线，结合高速存储

器及DMA 可实现数据的快速处理和存储。内建 APB 高级外设总线，扩展了丰富的外设及增强型 I/O，保障了连接的快速性和控制的灵活性。芯片

内部配备强大的 FPU 浮点运算处理单元，支持单精度数据处理指令和数据类型。

　　

　　●内置高达 128K 字节的闪存存储器和 20K 字节的 SRAM 存储器，所有型号都包含 2 个 12 位的ADC、3 个通用 16 位定时器、1 个高级控制

定时器和 1 个温度传感器，还包含标准的通信接口：2 个 I2C 接口、2 个 SPI 接口、1 个 QSPI 接口、3 个 USART 接口、1 个 USB 2.0 FS 接口

和1 个CAN 2.0B 接口，USBD 与 CAN 可同时独立工作。

　　

　　●工作电压为 2.0V ~ 3.6V，工作温度范围有-40°C至+85°C和-40°C至+105°C两种类型供选择。具有LQFP100/LQFP64/LQFP48/ QFN36 的 4

种不同形式的封装，不同封装的外设及 I/O 配置有所不同。

　　

　　●产品特性

　　

　　■系统与架构

　　

　　▲32 位 Arm® Cortex®-M3 内核

　　

　　▲最高工作频率为 96MHz

　　

　　■时钟与存储器

　　

　　▲HSECLK: 支持 4MHz~16 MHz 外部晶体振荡器

　　

　　▲LSECLK: 支持 32.768KHz 晶体/陶瓷振荡器

　　

　　▲HSICLK: 出厂校准的 8MHz RC 振荡器

　　

　　▲LSICLK: 40KHz RC 振荡器

　　

　　▲Flash 容量最高 128KB

　　

　　▲SRAM 容量最高 20KB

　　

　　■电源与低功耗模式

　　

　　▲复位供电电压 2.0V~3.6V

　　

　　▲支持可编程电压监测器(PVD)

　　

　　▲支持睡眠，停机和待机三种低功耗模式

　　

　　▲VBAT 供电可支持 RTC 及备用寄存器工作